Оперативная память нового поколения

0
624
Оперативная память нового поколения
Североамериканские и японские фирмы вместе занялись проектом, который даст возможность в коммерческом масштабе изготовлять принципиально новейшую оперативку для электронных аппаратов нового поколения.
 
В союз из 20 фирм вошли такие знатные игроки как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и Micron Technology. Они желают сменить динамическую память с свободным доступом (DRAM), применяемую в данный момент, на так именуемую MRAM (Магниторезистивную память с свободным доступом).

Данная разработка разрабатывается еще с 90-х годов прошлого века. MRAM базируется на сохранении данных при помощи магнитных моментов, а не электро зарядов. Это дает возможность достигнуть десятеричного убыстрения работы при десятеричном росте размера хранимой информации в то же время стремительно снижая энергопотребление. Японская газета Nikkei сообщает о том, что, как обещают ученые платы MRAM будут употреайфон в 3 раза меньше электро энергии.
 
Основной задачей проекта будет создание технологий для группового изготовления таких частей, завершить ее ученые хотят к 2018 году.
 
Стоит отметить, что фирма Everspin Technologies уже изготовляет MRAM-платы. В данный момент она начинает настоящие поставки и возможно захватить лидерство на рынке, если ей удастся предложить такие составляющие в коммерческих размерах ранее, чем американско-японский синдикатат достигнет результатов.
 
Раньше было сообщено, что научные работники делают предложение значительно прирастить тучность сохранения информации на жестких дисках за счет применения сплава железа и платины.

Отправить ответ

avatar
wpDiscuz